BC846UE6327

BC846UE6327 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Биполярные транзисторные массивы. Характеристики: TRANS 2NPN 65V 100MA PG-SC74-6. Закупки и разработка могут св

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
BC846UE6327
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
TRANS 2NPN 65V 100MA PG-SC74-6
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Last Time Buy
Рабочая температура 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Поставщик Устройство Корпус PG-SC74-6-1
Тип схемы Isolated
Количество резисторов 2
Коэффициент согласования резисторов -
Резисторное соотношение дрейфа -
Количество выводов 4
Мощность на элемент 62.5mW
Размер / Габариты 0.063" L x 0.063" W (1.60mm x 1.60mm)
Температурный коэффициент -
Частота - Переход 250MHz
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q200
Допуск Jumper
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Тип транзистора 2 NPN (Dual)
Сопротивление (Ом) 0.0
Корпус 0606, Convex
Высота - Установленная (Макс.) 0.020" (0.50mm)
Ток отсечки коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Мощность - Максимальная 250mW
Приложения DDRAM, SDRAM
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 65V