H5N6001P-E

H5N6001P-E — электронный компонент Renesas Electronics Corporation, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: NCH POWER MOSFET 600V 20A 380MOH. Закупки и

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
H5N6001P-E
Производитель:
Renesas Electronics Corporation
Другие номера деталей:
-
Описание:
NCH POWER MOSFET 600V 20A 380MOH
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Тип монтажа Through Hole
Статус детали Last Time Buy
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рассеиваемая мощность (максимальная) 150W (Tc)
Рабочая температура 150°C
Напряжение сток-исток (Vdss) 600 V
Корпус TO-3P-3, SC-65-3
Vgs (макс.) ±30V
Поставщик Устройство Корпус TO-3P
Vgs(th) (макс.) при Id 4V @ 1mA
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 20A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 135 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 380mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 4640 pF @ 25 V