IGOT65R035D2AUMA1

IGOT65R035D2AUMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: IGOT65R035D2AUMA1. Закупки и разработка могут с

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IGOT65R035D2AUMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
IGOT65R035D2AUMA1
Спецификация:
-

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 44A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs -
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) -
Рассеиваемая мощность (максимальная) 134W (Tc)
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.) -10V
Корпус 20-BFSOP (0.295", 7.50mm Width)
Поставщик Устройство Корпус PG-DSO-20-91
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 540 pF @ 400 V
Vgs(th) (макс.) при Id 1.6V @ 4.2mA