IGT65R045D2ATMA1
IGT65R045D2ATMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы. Характеристики: IGT65R045D2ATMA1. Закупки и разработка могут све
Какие компоненты поставляются со склада?
В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.
Как запросить цену по артикулу?
Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.
Поддерживается ли подбор по BOM?
Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.
Характеристики продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 38A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 131W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | - |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Корпус | 8-PowerSFN |
| Vgs (макс.) | -10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-HSOF-8 |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.6V @ 3.3mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 6 nC @ 3 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 430 pF @ 400 V |