IMT65R50M2HXUMA1

IMT65R50M2HXUMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 650V 48.1A PG-HSOF. Закупки и разработка могут сверить м

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
IMT65R50M2HXUMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 650V 48.1A PG-HSOF
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Технология SiCFET (Silicon Carbide)
Корпус 8-PowerSFN
Напряжение сток-исток (Vdss) 650V
Поставщик Устройство Корпус PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (макс.) при Id 5.6V @ 3.7mA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 62mOhm @ 18.2A, 18V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 48.1A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22nC @ 18V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 790pF @ 400V
Мощность - Максимальная 237W (Tc)