ISG0614N06NM5HSCATMA1

ISG0614N06NM5HSCATMA1 — электронный компонент Infineon Technologies, категория FET, массивы MOSFET. Характеристики: MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN. Закупки и разработка могут сверит

Какие компоненты поставляются со склада?

В наличии у Apex-Chip Electronics Co., Ltd есть интегральные схемы (IC), резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и диоды. На странице модели можно посмотреть артикул, бренд и параметры, затем запросить цену, чтобы узнать количество и срок поставки. Наличие оригинальной продукции подтверждается на момент запроса.

Как запросить цену по артикулу?

Откройте страницу модели и сверьте бренд, корпус и электрические параметры с вашими требованиями, затем отправьте запрос. Укажите артикул, количество и желаемый срок поставки. Для нескольких позиций используйте подбор по BOM и перечислите каждую позицию один раз.

Поддерживается ли подбор по BOM?

Да. Пришлите артикулы, количество и бренды. Мы сверим интегральные схемы, резисторы, конденсаторы и катушки индуктивности с текущим наличием и сообщим, какое количество можно поставить и какие позиции нужно заказывать.

Номер детали:
ISG0614N06NM5HSCATMA1
Производитель:
Infineon Technologies
Другие номера деталей:
-
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 31A 10WHITFN
Спецификация:
PDF

Характеристики продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс -
Квалификация -
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 1.6mOhm @ 50A, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 31A (Ta), 233A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 3.3V @ 86µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 102nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6400pF @ 30V
Мощность - Максимальная 3W (Ta), 167W (Tc)
Корпус 10-PowerWDFN
Поставщик Устройство Корпус PG-WHITFN-10-1