DF14MR12W1M1HFB67BPSA1
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1是Infineon Technologies的电子元器件型号,属于场效应晶体管,MOSFET 阵列。规格:MOSFET 1200V AG-EASY1B。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。
现货供应哪些器件?
Apex-Chip electronics Co.Ltd的现货包括集成电路(IC)、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格,确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。
如何按料号询价?
先打开型号页,用料号核对品牌、封装和电气规格,确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单,一次列清清单。
是否支持 BOM 配单?
支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后,我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目,并回复可交付数量,以及需要订货的项目。
产品属性
| 零件状态 | Active |
|---|---|
| 安装类型 | Chassis Mount |
| 工作温度 | - |
| 场效应晶体管特性 | - |
| 配置 | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 | - |
| 封装 / 外壳 | Module |
| 最大功率 | - |
| 栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs | - |
| 连续漏极电流 (Id) @ 25°C | - |
| 输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds | - |
| 导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 | - |
| 技术 | Silicon Carbide (SiC) |
| 漏极至源极电压 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 供应商器件封装 | AG-EASY1B |