NP30N06QDK-E1-AY

NP30N06QDK-E1-AY是Renesas Electronics Corporation的电子元器件型号,属于场效应晶体管,MOSFET 阵列。规格:MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。

现货供应哪些器件?

Apex-Chip electronics Co.Ltd的现货包括集成电路(IC)、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格,确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。

如何按料号询价?

先打开型号页,用料号核对品牌、封装和电气规格,确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单,一次列清清单。

是否支持 BOM 配单?

支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后,我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目,并回复可交付数量,以及需要订货的项目。

零件编号:
NP30N06QDK-E1-AY
其它零件编号:
-
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 30A 8HSON
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
技术 MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管特性 -
等级 Automotive
认证 AEC-Q101
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 2.5V @ 250µA
配置 2 N-Channel (Dual)
漏极至源极电压 (Vdss) 60V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 38nC @ 10V
工作温度 175°C
封装 / 外壳 8-PowerLDFN
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 2250pF @ 25V
导通电阻(最大值)@漏极电流,栅源电压 14mOhm @ 15A, 10V
供应商器件封装 8-HSON (5x5.4)
最大功率 1W (Ta), 59W (Tc)