SCT040TO65G3

SCT040TO65G3是STMicroelectronics的电子元器件型号,属于单管场效应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管。规格:SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650。采购和研发可按此料号核对品牌与参数后询价。

现货供应哪些器件?

Apex-Chip electronics Co.Ltd的现货包括集成电路(IC)、电阻器、电容器、电感器和二极管。型号页可查看料号、品牌和规格,确认参数后通过询价了解数量和交期。原装现货以询价时的库存为准。

如何按料号询价?

先打开型号页,用料号核对品牌、封装和电气规格,确认与需求一致后再提交询价。询价请写明料号、数量和目标交期。多颗物料请使用 BOM 配单,一次列清清单。

是否支持 BOM 配单?

支持按物料清单做 BOM 配单。把料号、数量和品牌发来后,我们按现货核对集成电路、电阻器、电容器、电感器等条目,并回复可交付数量,以及需要订货的项目。

零件编号:
SCT040TO65G3
制造商:
STMicroelectronics
其它零件编号:
-
描述:
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
规格书:
PDF

产品属性

零件状态 Active
安装类型 Surface Mount
场效应晶体管类型 N-Channel
场效应晶体管特性 -
工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
等级 -
认证 -
连续漏极电流 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
漏极至源极电压 (Vdss) 650 V
技术 SiCFET (Silicon Carbide)
最大功耗 288W (Tc)
封装 / 外壳 8-PowerSFN
供应商器件封装 TOLL (HV)
驱动电压(最大导通电阻,最小导通电阻) 15V, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id 阈值电压(最大值)@ 漏极电流 4.2V @ 1mA
最大栅源电压 +18V, -5V
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs 42.5 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds 853 pF @ 400 V